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中國科學院的研究人員利用金屬性與半導體性swcnt在化學穩定性上的微弱差異，提出了浮動催化——原位刻蝕方法，在swcnt生長過程中引入適量氣體刻蝕劑（如氧氣或氫氣）優先反應刻蝕金屬性swcnt，獲得了純度90%以上的半導體性swcnt（journaloftheamericanchemicalsociety2011,133:5232;acsnano2013,7:6831）。半導體性swcnt的帶隙與直徑直接相關，精確控制其直徑不僅可以實現swcnt的帶隙調控，而且有利于金屬性swcnt的選擇性刻蝕，進一步提高半導體性swcnt的純度。通常用于生長swcnt的過渡金屬催化劑在高溫生長過程中易發生團聚，尺寸均一性較差；另一方面，swcnt從納米顆粒形核生長遵循不可控的“切線生長”或“垂直生長”模式，即所得swcnt的直徑可能等于或小于催化劑顆粒。這使得swcnt的直徑控制十分困難，所得半導體性swcnt的帶隙分布較寬。

最近，研究人員與芬蘭aalto大學合作者設計并制備了一種部分碳包覆的co納米顆粒催化劑，包覆碳層可以有效阻止催化劑顆粒團聚長大，而部分暴露的co納米顆粒可實現swcnt僅以垂直模式形核生長，同時，采用嵌段共聚物自組裝法制備的催化劑顆粒具有優異的均一性和單分散性。他們采用這種催化劑首先實現了窄直徑分布swcnt的可控生長（平均直徑1.7nm，90%以上分布在1.6-1.9nm范圍內），進而采用h₂原位刻蝕方法獲得了窄帶隙分布（~0.08ev）、高純度（>95%）、高質量的半導體性swcnt。以制得的半導體性swcnt為溝道材料，構建了高性能薄膜場效應晶體管器件，在電流開關比大于3×10³時，平均載流子遷移率可達95.2cm²v^-1s^-1。

部分碳包覆金屬復合結構催化劑的研制為可控生長swcnt提供了新思路，所得高質量、高純度、窄帶隙分布半導體性swcnt為其在場效應晶體管等器件中的應用奠定了基礎。該工作的主要結果于3月30日在naturecommunications在線發表（naturecommunications2016,7:11160）。該工作得到了國家自然科學基金創新群體、重點項目、面上項目及中科院重點部署項目、創新團隊國際合作項目等的資助。