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單壁碳納米管（SWCNT）以其優(yōu)良的化學(xué)穩(wěn)定性、力學(xué)性能以及可調(diào)制的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)在高性能微納米光電器件及薄膜光電器件等方面具有極大的應(yīng)用前景。單壁碳納米管可看作是由單層石墨層繞中心軸按一定的螺旋角卷曲而成的無(wú)縫空心管。碳納米管直徑和螺旋角度（手性）的不同使單壁碳納米管呈現(xiàn)出可調(diào)制的電學(xué)性能。

但是，鑒于目前常規(guī)手段包括電弧、激光燒蝕與化學(xué)氣相沉積等方法所制備的碳納米管都是不同導(dǎo)電屬性、直徑和手性碳納米管的混合物，根據(jù)導(dǎo)電屬性、直徑或手性的不同所呈現(xiàn)出的不同光學(xué)電學(xué)性能會(huì)一定程度降低碳納米管的光電特性發(fā)揮，嚴(yán)重阻礙碳納米管在微納米光電器件及薄膜光電器件等方面的應(yīng)用。因此，碳納米管的分離技術(shù)作為近期碳納米管研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)備受矚目。 近年來(lái)，人們相繼開(kāi)發(fā)出了多種單一導(dǎo)電屬性、直徑或手性碳納米管的直接制備工藝和制備后處理分離技術(shù)，其中，現(xiàn)有的單一導(dǎo)電屬性碳納米管的制備工藝包括等離子體增強(qiáng)氣相化學(xué)沉積法直接制備半導(dǎo)體型碳納米管的工藝、采用單羥基醇類(lèi)化合物作為碳源給料直接CVD生長(zhǎng)高金屬型碳納米管的工藝等；現(xiàn)有的單一直徑和手性碳納米管的制備工藝包括改變催化劑種類(lèi)或結(jié)構(gòu)，在氣相化學(xué)沉積法制備過(guò)程中控制直徑或手性范圍的工藝、采用直接CVD生長(zhǎng)過(guò)程中利用紫外線照射控制直徑或手性范圍的工藝等，但此類(lèi)工藝實(shí)現(xiàn)起來(lái)非常困難，不易控制，且效率很低。現(xiàn)有的不同導(dǎo)電屬性碳納米管的后處理分離技術(shù)一般利用單壁碳納米管的直徑、手性以及電子結(jié)構(gòu)等性質(zhì)的差異，實(shí)現(xiàn)部分單壁碳管的選擇性分離及其導(dǎo)電屬性的分離，如大電流燒蝕法去除金屬型CNT的工藝、利用選擇性氧化反應(yīng)消除金屬型CNT的工藝、基于超高速離心技術(shù)或基于電泳技術(shù)的金屬性和半導(dǎo)體性CNT分離工藝等；現(xiàn)有的單一直徑或手性單壁碳納米管的后處理分離技術(shù)包括燒蝕氧化法逐步去除不同管徑碳納米管以致控制碳納米管管徑的工藝、基于超高速離心技術(shù)或基于離子色譜技術(shù)的CNT直徑或手性分離工藝、利用人工合成DNA鏈認(rèn)識(shí)與纏繞特定CNT的直徑或手性分離工藝等；但這些工藝或是不能同時(shí)實(shí)現(xiàn)不同導(dǎo)電屬性?xún)煞N碳管的富集和分離，或是不能精確控制單一直徑或手性CNT分離，或是對(duì)設(shè)備要求高，工藝耗時(shí)過(guò)長(zhǎng)，或是分離介質(zhì)昂貴，成本高，分離介質(zhì)難以消除，或是分離出來(lái)的單一導(dǎo)電屬性或單一直徑或手性CNT純度、產(chǎn)率很低，因此都還不能滿(mǎn)足低成本、宏量規(guī)模生產(chǎn)的要求。

中國(guó)科學(xué)院成都有機(jī)化學(xué)有限公司隸屬于中國(guó)科學(xué)院系統(tǒng)，前身為中國(guó)科學(xué)院成都有機(jī)化學(xué)研究所，我中心（中科時(shí)代納米）是該公司組成部分之一。是專(zhuān)業(yè)的碳納米管廠家。現(xiàn)在，我中心高純度（>90wt%）單壁碳納米管的生產(chǎn)能力已達(dá)到100kg/a，多壁碳納米管（直徑:20-30nm,純度:>95%）的生產(chǎn)能力已達(dá)到30T/a。我中心的碳納米管產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)外已建立好良好聲譽(yù)。我們歡迎各種形式的合作，拓展碳納米管的產(chǎn)品市場(chǎng)，發(fā)展碳納米管的生產(chǎn)和應(yīng)用技術(shù)。